購入 FDR6580とBYCHPS
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FDR6580
- 部品型番:
- FDR6580
- 説明:
- MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12067 Pieces
- データシート:
- FDR6580.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 FDR6580、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください FDR6580をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 1.5V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | SuperSOT™-8 |
| シリーズ: | PowerTrench® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 9 mOhm @ 11.2A, 4.5V |
| 電力消費（最大）: | 1.8W (Ta) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | 8-SMD, Gull Wing |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | FDR6580 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 3829pF @ 10V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 48nC @ 4.5V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 20V 11.2A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-8 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 20V |
| 説明: | MOSFET N-CH 20V 11.2A SSOT-8 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 11.2A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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