購入 FDS86267PとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 250µA |
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Vgs(最大): | ±25V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SO |
シリーズ: | PowerTrench® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 255 mOhm @ 2.2A, 10V |
電力消費(最大): | 1W (Ta) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
他の名前: | FDS86267PTR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
製造元の部品番号: | FDS86267P |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1130pF @ 75V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 16nC @ 10V |
FETタイプ: | P-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | P-Channel 150V 2.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SO |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 6V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 150V |
説明: | MOSFET P-CH 150V |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 2.2A (Ta) |
Email: | [email protected] |