FGA25N120FTD - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-igbt-シングル FGA25N120FTD

FGA25N120FTD

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	1200V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2V @ 15V, 25A
試験条件:	600V, 25A, 15 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:	48ns/210ns
エネルギーの切り替え:	340µJ (on), 900µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-3PN
シリーズ:	-
逆回復時間（trrの）:	770ns
電力 - 最大:	313W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-3P-3, SC-65-3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	FGA25N120FTD
入力タイプ:	Standard
IGBTタイプ:	Trench Field Stop
ゲートチャージ:	160nC
拡張された説明:	IGBT Trench Field Stop 1200V 50A 313W Through Hole TO-3PN
説明:	IGBT 1200V 50A 313W TO3P
電流 - コレクタパルス（ICM）:	75A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	50A
Email:	[email protected]