FGD3N60UNDF - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-igbt-シングル FGD3N60UNDF

FGD3N60UNDF

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	600V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2.52V @ 15V, 3A
試験条件:	400V, 3A, 10 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:	5.5ns/22ns
エネルギーの切り替え:	52µJ (on), 30µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-252, (D-Pak)
シリーズ:	-
逆回復時間（trrの）:	21ns
電力 - 最大:	60W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	FGD3N60UNDFTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	35 Weeks
製造元の部品番号:	FGD3N60UNDF
入力タイプ:	Standard
IGBTタイプ:	NPT
ゲートチャージ:	1.6nC
拡張された説明:	IGBT NPT 600V 6A 60W Surface Mount TO-252, (D-Pak)
説明:	IGBT 600V 6A 60W DPAK
電流 - コレクタパルス（ICM）:	9A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	6A
Email:	[email protected]