FQD1N60CTM
FQD1N60CTM
部品型番:
FQD1N60CTM
メーカー:
Fairchild/ON Semiconductor
説明:
MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18262 Pieces
データシート:
1.FQD1N60CTM.pdf2.FQD1N60CTM.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 250µA
Vgs(最大):±30V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:D-Pak
シリーズ:QFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):11.5 Ohm @ 500mA, 10V
電力消費(最大):2.5W (Ta), 28W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:FQD1N60CTM-ND
FQD1N60CTMTR
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:6 Weeks
製造元の部品番号:FQD1N60CTM
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:170pF @ 25V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:6.2nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 600V 1A (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) Surface Mount D-Pak
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:600V
説明:MOSFET N-CH 600V 1A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):1A (Tc)
Email:[email protected]

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