購入 FQI9N08LTUとBYCHPS
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FQI9N08LTU
- 部品型番:
- FQI9N08LTU
- 説明:
- MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12127 Pieces
- データシート:
- FQI9N08LTU.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 FQI9N08LTU、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください FQI9N08LTUをメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 2V @ 250µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | I2PAK (TO-262) |
| シリーズ: | QFET® |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 210 mOhm @ 4.65A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 3.75W (Ta), 40W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| 製造元の部品番号: | FQI9N08LTU |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 280pF @ 25V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 6.1nC @ 5V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 80V 9.3A (Tc) 3.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262) |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 80V |
| 説明: | MOSFET N-CH 80V 9.3A I2PAK |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 9.3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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