GB01SLT12-252
GB01SLT12-252
部品型番:
GB01SLT12-252
メーカー:
GeneSiC Semiconductor
説明:
DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
13546 Pieces
データシート:
GB01SLT12-252.pdf

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規格

電圧 - フォワード(VF)(最大)の場合@:1.8V @ 1A
電圧 - 逆(VR)(最大):1200V (1.2kV)
サプライヤデバイスパッケージ:TO-252
速度:No Recovery Time > 500mA (Io)
シリーズ:-
逆回復時間(trrの):0ns
パッケージング:Bulk
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:1242-1126
GB01SLT12252
動作温度 - ジャンクション:-55°C ~ 175°C
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:18 Weeks
製造元の部品番号:GB01SLT12-252
拡張された説明:Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 1A Surface Mount TO-252
ダイオードタイプ:Silicon Carbide Schottky
説明:DIODE SILICON 1.2KV 1A TO252
電流 - 漏れ@ Vrとリバース:2µA @ 1200V
電流 - 平均整流(イオ​​):1A
Vrと、F @キャパシタンス:69pF @ 1V, 1MHz
Email:[email protected]

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