GT50J121(Q) - Toshiba Semiconductor and Storage - トランジスタ-igbt-シングル GT50J121(Q) - BYCHIPS

GT50J121(Q)

部品型番:: GT50J121(Q)

メーカー:: Toshiba Semiconductor

説明:: IGBT 600V 50A 240W TO3P LH

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 15217 Pieces

データシート:: GT50J121(Q).pdf

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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	600V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2.45V @ 15V, 50A
試験条件:	300V, 50A, 13 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:	90ns/300ns
エネルギーの切り替え:	1.3mJ (on), 1.34mJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-3P(LH)
シリーズ:	-
電力 - 最大:	240W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-3PL
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	GT50J121(Q)
入力タイプ:	Standard
IGBTタイプ:	-
拡張された説明:	IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH)
説明:	IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
電流 - コレクタパルス（ICM）:	100A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	50A
Email:	[email protected]

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