HGTP5N120BND - Fairchild/ON Semiconductor - トランジスタ-igbt-シングル HGTP5N120BND

HGTP5N120BND

簡潔な

BYCHIPSは、 HGTP5N120BND、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください HGTP5N120BNDをメールでお送りします。

購入 HGTP5N120BNDとBYCHPS

保証付きで購入する

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	1200V
VGE、Icを@ VCE（上）（最大）:	2.7V @ 15V, 5A
試験条件:	960V, 5A, 25 Ohm, 15V
Td（オン/オフ）@ 25℃:	22ns/160ns
エネルギーの切り替え:	450µJ (on), 390µJ (off)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220AB
シリーズ:	-
逆回復時間（trrの）:	65ns
電力 - 最大:	167W
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	HGTP5N120BND
入力タイプ:	Standard
IGBTタイプ:	NPT
ゲートチャージ:	53nC
拡張された説明:	IGBT NPT 1200V 21A 167W Through Hole TO-220AB
説明:	IGBT 1200V 21A 167W TO220AB
電流 - コレクタパルス（ICM）:	40A
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	21A
Email:	[email protected]