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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ > HN1C03F-B(TE85L,F)
HN1C03F-B(TE85L,F)
HN1C03F-B(TE85L,F)
部品型番:
HN1C03F-B(TE85L,F)
メーカー:
Toshiba Semiconductor
説明:
TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17223 Pieces
データシート:
HN1C03F-B(TE85L,F).pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:20V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:100mV @ 3mA, 30mA
トランジスタ型式:2 NPN (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:SM6
シリーズ:-
電力 - 最大:300mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-74, SOT-457
他の名前:HN1C03F-B (TE85L,F)
HN1C03F-B(TE85LF)TR
運転温度:150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:HN1C03F-B(TE85L,F)
周波数 - トランジション:30MHz
拡張された説明:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 20V 300mA 30MHz 300mW Surface Mount SM6
説明:TRANS 2NPN 20V 0.3A SM6
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:350 @ 4mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:300mA
Email:[email protected]

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