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まず  ページ > プロダクトセンター > ディスクリート半導体製品 > トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ、プリバイアス > IMD10AMT1G
IMD10AMT1G
部品型番:
IMD10AMT1G
メーカー:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
説明:
TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
17651 Pieces
データシート:
IMD10AMT1G.pdf
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規格

電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:50V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:300mV @ 1mA, 10mA
トランジスタ型式:1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:SC-74R
シリーズ:-
抵抗 - エミッタベース（R2）（オーム）:10k
抵抗 - ベース（R1）（オーム）:13k, 130
電力 - 最大:285mW
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:SC-74, SOT-457
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:4 Weeks
製造元の部品番号:IMD10AMT1G
周波数 - トランジション:-
拡張された説明:Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 500mA 285mW Surface Mount SC-74R
説明:TRANS NPN/PNP PREBIAS SC74R
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:100 @ 1mA, 5V / 68 @ 100mA, 5V
電流 - コレクタ遮断（最大）:500nA
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:500mA
Email:[email protected]

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