IMT18T110 - Rohm Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ IMT18T110

IMT18T110

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	12V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	250mV @ 10mA, 200mA
トランジスタ型式:	2 PNP (Dual)
サプライヤデバイスパッケージ:	SMT6
シリーズ:	-
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-74, SOT-457
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	10 Weeks
製造元の部品番号:	IMT18T110
周波数 - トランジション:	260MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 12V 500mA 260MHz 300mW Surface Mount SMT6
説明:	TRANS 2PNP 12V 0.5A 6SMT
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	270 @ 10mA, 2V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	500mA
Email:	[email protected]