IMZ4T108 - Rohm Semiconductor - トランジスタ-バイポーラ (bjt)-アレイ IMZ4T108

IMZ4T108

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電圧 - コレクタエミッタブレークダウン（最大）:	32V
IB、IC @ Vce飽和（最大）:	600mV @ 50mA, 500mA / 600mV @ 30mA, 300mA
トランジスタ型式:	NPN, PNP
サプライヤデバイスパッケージ:	SMT6
シリーズ:	-
電力 - 最大:	300mW
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	SC-74, SOT-457
他の名前:	IMZ4T108-ND IMZ4T108TR
運転温度:	150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IMZ4T108
周波数 - トランジション:	250MHz, 200MHz
拡張された説明:	Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 32V 500mA 250MHz, 200MHz 300mW Surface Mount SMT6
説明:	TRANS NPN/PNP 32V 0.5A 6SMT
Icを、Vceは@ DC電流ゲイン（hFEの）（最小）:	120 @ 100mA, 3V
電流 - コレクタ遮断（最大）:	100nA (ICBO)
電流 - コレクタ（Ic）（Max）:	500mA
Email:	[email protected]