購入 IPB031NE7N3GATMA1とBYCHPS
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IPB031NE7N3GATMA1
- 部品型番:
- IPB031NE7N3GATMA1
- 説明:
- MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 12330 Pieces
- データシート:
- IPB031NE7N3GATMA1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IPB031NE7N3GATMA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IPB031NE7N3GATMA1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.8V @ 155µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO263-3-2 |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 3.1 mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 214W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 他の名前: | IPB031NE7N3 G IPB031NE7N3 G-ND IPB031NE7N3 GTR-ND IPB031NE7N3G SP000641730 |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
| 製造元の部品番号: | IPB031NE7N3GATMA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 8130pF @ 37.5V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 117nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 75V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 75V |
| 説明: | MOSFET N-CH 75V 100A TO263-3 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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