IPB12CN10N G
IPB12CN10N G
部品型番:
IPB12CN10N G
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16099 Pieces
データシート:
IPB12CN10N G.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 83µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO263-3
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):12.6 mOhm @ 67A, 10V
電力消費(最大):125W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:SP000096450
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IPB12CN10N G
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4320pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:65nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 67A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 67A TO263-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):67A (Tc)
Email:[email protected]

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