IPD031N06L3 G - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPD031N06L3 G

IPD031N06L3 G

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.2V @ 93µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO252-3
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	3.1 mOhm @ 100A, 10V
電力消費（最大）:	167W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	IPD031N06L3 G-ND IPD031N06L3G IPD031N06L3GATMA1 SP000451076
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IPD031N06L3 G
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	13000pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	79nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	100A (Tc)
Email:	[email protected]