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IPD053N06N3GBTMA1
IPD053N06N3GBTMA1
部品型番:
IPD053N06N3GBTMA1
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19149 Pieces
データシート:
IPD053N06N3GBTMA1.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:4V @ 58µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO252-3
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:5.3 mOhm @ 90A, 10V
電力消費（最大）:115W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:IPD053N06N3 G
IPD053N06N3 G-ND
IPD053N06N3 GTR-ND
SP000453318
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IPD053N06N3GBTMA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:6600pF @ 30V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:82nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 60V 90A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:60V
説明:MOSFET N-CH 60V 90A TO252-3
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:90A (Tc)
Email:[email protected]

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