IPD082N10N3GATMA1
IPD082N10N3GATMA1
部品型番:
IPD082N10N3GATMA1
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16258 Pieces
データシート:
IPD082N10N3GATMA1.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 IPD082N10N3GATMA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IPD082N10N3GATMA1をメールでお送りします。
購入 IPD082N10N3GATMA1とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):3.5V @ 75µA
Vgs(最大):±20V
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO252-3
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):8.2 mOhm @ 73A, 10V
電力消費(最大):125W (Tc)
パッケージング:Original-Reel®
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:IPD082N10N3GATMA1DKR
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:14 Weeks
製造元の部品番号:IPD082N10N3GATMA1
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:3980pF @ 50V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:55nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 100V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン):6V, 10V
ソース電圧(VDSS)にドレイン:100V
説明:MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):80A (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考