IPD110N12N3GBUMA1
IPD110N12N3GBUMA1
部品型番:
IPD110N12N3GBUMA1
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
16779 Pieces
データシート:
IPD110N12N3GBUMA1.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):4V @ 83µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO252-3
シリーズ:OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):11 mOhm @ 75A, 10V
電力消費(最大):136W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:IPD110N12N3 G
IPD110N12N3 G-ND
IPD110N12N3 GTR
IPD110N12N3 GTR-ND
IPD110N12N3G
SP000674466
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
製造元の部品番号:IPD110N12N3GBUMA1
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:4310pF @ 60V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:65nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 120V 75A (Tc) 136W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
ソース電圧(VDSS)にドレイン:120V
説明:MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):75A (Tc)
Email:[email protected]

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