IPD135N08N3GATMA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPD135N08N3GATMA1 - BYCHIPS

IPD135N08N3GATMA1

IPD135N08N3GATMA1

部品型番:: IPD135N08N3GATMA1

メーカー:: International Rectifier (Infineon Technologies)

説明:: MOSFET N-CH 80V 45A

フリーステータス/ RoHS状態:: 鉛フリー/ RoHS準拠

在庫数量:: 14786 Pieces

データシート:: IPD135N08N3GATMA1.pdf

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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:	3.5V @ 33µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO252-3
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	13.5 mOhm @ 45A, 10V
電力消費（最大）:	79W (Tc)
パッケージング:	Original-Reel®
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	IPD135N08N3GATMA1DKR
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IPD135N08N3GATMA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1730pF @ 40V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	25nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 80V 45A (Tc) 79W (Tc) PG-TO252-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	80V
説明:	MOSFET N-CH 80V 45A
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	45A (Tc)
Email:	[email protected]

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