購入 IPD30N03S4L-09とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.2V @ 13µA |
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Vgs(最大): | ±16V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO252-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 9 mOhm @ 30A, 10V |
電力消費(最大): | 42W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | IPD30N03S4L-09-ND IPD30N03S4L-09INTR IPD30N03S4L09 IPD30N03S4L09ATMA1 SP000415578 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 26 Weeks |
製造元の部品番号: | IPD30N03S4L-09 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1520pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 20nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 30A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 30A (Tc) |
Email: | [email protected] |