購入 IPD35N10S3L26ATMA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2.4V @ 39µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO252-3-11 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 24 mOhm @ 35A, 10V |
電力消費(最大): | 71W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | IPD35N10S3L-26 IPD35N10S3L-26-ND IPD35N10S3L26ATMA1TR SP000386184 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 26 Weeks |
製造元の部品番号: | IPD35N10S3L26ATMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 2700pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 39nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 35A (Tc) 71W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 4.5V, 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N-CH 100V 35A TO252-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 35A (Tc) |
Email: | [email protected] |