購入 IPD50R800CEとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 130µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO252-3 |
シリーズ: | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 800 mOhm @ 1.5A, 13V |
電力消費(最大): | 40W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | IPD50R800CEDR IPD50R800CEDR-ND |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IPD50R800CE |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 280pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 12.4nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | Super Junction |
拡張された説明: | N-Channel 500V 5A (Tc) 40W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 500V |
説明: | MOSFET N CH 500V 5A TO252 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 5A (Tc) |
Email: | [email protected] |