購入 IPD530N15N3GBTMA1とBYCHPS
保証付きで購入する
同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 35µA |
---|---|
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO252-3 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 53 mOhm @ 18A, 10V |
電力消費(最大): | 68W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | IPD530N15N3 G IPD530N15N3 G-ND IPD530N15N3 GTR-ND IPD530N15N3G SP000521720 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IPD530N15N3GBTMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 887pF @ 75V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 12nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 150V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 150V |
説明: | MOSFET N-CH 150V 21A TO252-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 21A (Tc) |
Email: | [email protected] |