購入 IPD60R1K0CEATMA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 130µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | TO-252-3 |
シリーズ: | CoolMOS™ CE |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 1 Ohm @ 1.5A, 10V |
電力消費(最大): | 37W (Tc) |
パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
パッケージ/ケース: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
他の名前: | IPD60R1K0CEATMA1TR SP001276032 |
運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 3 (168 Hours) |
製造元の部品番号: | IPD60R1K0CEATMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 280pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 13nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 600V 4.3A (Tc) 37W (Tc) Surface Mount TO-252-3 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET N-CH 600V TO-252-3 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 4.3A (Tc) |
Email: | [email protected] |