IPD60R600E6ATMA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPD60R600E6ATMA1

IPD60R600E6ATMA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3.5V @ 200µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-252
シリーズ:	CoolMOS™ E6
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	600 mOhm @ 2.4A, 10V
電力消費（最大）:	63W (Tc)
パッケージング:	Bulk
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	SP001117094
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	IPD60R600E6ATMA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	440pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	20.5nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 600V 7.3A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount TO-252
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	600V
説明:	MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	7.3A (Tc)
Email:	[email protected]