購入 IPI037N08N3GXKSA1とBYCHPS
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IPI037N08N3GXKSA1
- 部品型番:
- IPI037N08N3GXKSA1
- 説明:
- MOSFET N-CH 80V 100A
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 14278 Pieces
- データシート:
- IPI037N08N3GXKSA1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IPI037N08N3GXKSA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IPI037N08N3GXKSA1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.5V @ 155µA |
|---|---|
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3 |
| シリーズ: | OptiMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 3.75 mOhm @ 100A, 10V |
| 電力消費（最大）: | 214W (Tc) |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| 他の名前: | SP000680654 |
| 運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Through Hole |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 14 Weeks |
| 製造元の部品番号: | IPI037N08N3GXKSA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 8110pF @ 40V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 117nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | - |
| 拡張された説明: | N-Channel 80V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 80V |
| 説明: | MOSFET N-CH 80V 100A |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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