IPI100N06S3L04XK - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPI100N06S3L04XK

IPI100N06S3L04XK

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.2V @ 150µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO262-3
シリーズ:	OptiMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	3.8 mOhm @ 80A, 10V
電力消費（最大）:	214W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前:	IPI100N06S3L-04 IPI100N06S3L-04-ND IPI100N06S3L-04IN IPI100N06S3L-04IN-ND IPI100N06S3L04X SP000102211
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IPI100N06S3L04XK
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	17270pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	362nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 55V 100A (Tc) 214W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
説明:	MOSFET N-CH 55V 100A TO-262
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	100A (Tc)
Email:	[email protected]