購入 IPI60R199CPXKSA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 3.5V @ 660µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO262-3 |
シリーズ: | CoolMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 199 mOhm @ 9.9A, 10V |
電力消費(最大): | 139W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
他の名前: | IPI60R199CP IPI60R199CP-ND IPI60R199CPX IPI60R199CPXK SP000103248 |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IPI60R199CPXKSA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1520pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 43nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 600V 16A (Tc) 139W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 600V |
説明: | MOSFET N-CH 600V 16A I2PAK |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 16A (Tc) |
Email: | [email protected] |