購入 IPN60R3K4CEATMA1とBYCHPS
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IPN60R3K4CEATMA1
- 部品型番:
- IPN60R3K4CEATMA1
- 説明:
- MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 14111 Pieces
- データシート:
- IPN60R3K4CEATMA1.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IPN60R3K4CEATMA1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IPN60R3K4CEATMA1をメールでお送りします。
規格
| 同上@ VGS（TH）（最大）: | 3.5V @ 40µA |
|---|---|
| Vgs（最大）: | ±20V |
| 技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
| サプライヤデバイスパッケージ: | PG-SOT223 |
| シリーズ: | CoolMOS™ |
| 同上、Vgsは@ RDSで、（最大）: | 3.4 Ohm @ 500mA, 10V |
| 電力消費（最大）: | 5W (Tc) |
| パッケージング: | Tape & Reel (TR) |
| パッケージ/ケース: | TO-261-4, TO-261AA |
| 他の名前: | IPN60R3K4CEATMA1TR SP001434888 |
| 運転温度: | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 3 (168 Hours) |
| メーカーの標準リードタイム: | 12 Weeks |
| 製造元の部品番号: | IPN60R3K4CEATMA1 |
| 入力容量（Ciss）（Max）@ Vds: | 93pF @ 100V |
| ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs: | 4.6nC @ 10V |
| FETタイプ: | N-Channel |
| FET特長: | Super Junction |
| 拡張された説明: | N-Channel 600V 2.6A (Tc) 5W (Tc) Surface Mount PG-SOT223 |
| 駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）: | 10V |
| ソース電圧（VDSS）にドレイン: | 600V |
| 説明: | MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223 |
| 電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）: | 2.6A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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