購入 IPP10N03LB GとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 2V @ 20µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-TO220-3-1 |
シリーズ: | OptiMOS™ |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 9.9 mOhm @ 50A, 10V |
電力消費(最大): | 58W (Tc) |
パッケージング: | Tube |
パッケージ/ケース: | TO-220-3 |
他の名前: | IPP10N03LB G-ND IPP10N03LBGIN IPP10N03LBGX IPP10N03LBGXK SP000064222 SP000680860 |
運転温度: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
装着タイプ: | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IPP10N03LB G |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 1639pF @ 15V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 13nC @ 5V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 30V 50A (Tc) 58W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-1 |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 30V |
説明: | MOSFET N-CH 30V 50A TO-220 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 50A (Tc) |
Email: | [email protected] |