IPP60R099CPXKSA1 - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IPP60R099CPXKSA1

IPP60R099CPXKSA1

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同上@ VGS（TH）（最大）:	3.5V @ 1.2mA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	PG-TO-220-3
シリーズ:	CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	99 mOhm @ 18A, 10V
電力消費（最大）:	255W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	IPP60R099CP IPP60R099CPIN IPP60R099CPIN-ND IPP60R099CPXK IPP60R099CSIN IPP60R099CSIN-ND IPP60R099CSX IPP60R099CSXTIN IPP60R099CSXTIN-ND SP000057021
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	IPP60R099CPXKSA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2800pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	80nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 650V 31A (Tc) 255W (Tc) Through Hole PG-TO-220-3
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	650V
説明:	MOSFET N-CH 650V 31A TO-220
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	31A (Tc)
Email:	[email protected]