購入 IPT60R150G7XTMA1とBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 260µA |
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Vgs(最大): | ±20V |
技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | PG-HSOF-8 |
シリーズ: | CoolMOS™ G7 |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 150 mOhm @ 5.3A, 10V |
電力消費(最大): | 106W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | 8-PowerSFN |
他の名前: | IPT60R150G7XTMA1DKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
メーカーの標準リードタイム: | 16 Weeks |
製造元の部品番号: | IPT60R150G7XTMA1 |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 902pF @ 400V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 23nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 650V 17A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8 |
駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン): | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 650V |
説明: | MOSFET N-CH 650V 17A HSOF-8 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 17A (Tc) |
Email: | [email protected] |