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IPW65R190E6FKSA1
IPW65R190E6FKSA1
部品型番:
IPW65R190E6FKSA1
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
12506 Pieces
データシート:
IPW65R190E6FKSA1.pdf
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規格

同上@ VGS（TH）（最大）:3.5V @ 730µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:PG-TO247-3
シリーズ:CoolMOS™
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:190 mOhm @ 7.3A, 10V
電力消費（最大）:151W (Tc)
パッケージング:Tube
パッケージ/ケース:TO-247-3
他の名前:IPW65R190E6
IPW65R190E6-ND
SP000863906
運転温度:-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:12 Weeks
製造元の部品番号:IPW65R190E6FKSA1
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:1620pF @ 100V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:73nC @ 10V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 650V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
ソース電圧（VDSS）にドレイン:650V
説明:MOSFET N-CH 650V 20.2A TO247
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:20.2A (Tc)
Email:[email protected]

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