IRF1324S-7PPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRF1324S-7PPBF

IRF1324S-7PPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK (7-Lead)
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1 mOhm @ 160A, 10V
電力消費（最大）:	300W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
他の名前:	AUXECF1324S-7P AUXECF1324S-7P-ND IRF1324S7PPBF SP001571226
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRF1324S-7PPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	7700pF @ 19V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	252nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 24V 240A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	24V
説明:	MOSFET N-CH 24V 429A D2PAK-7
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	240A (Tc)
Email:	[email protected]