IRF4905LPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRF4905LPBF

IRF4905LPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-262
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	20 mOhm @ 42A, 10V
電力消費（最大）:	170W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
他の名前:	64-2156PBF 64-2156PBF-ND SP001563376
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IRF4905LPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	3500pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	180nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 55V 42A (Tc) 170W (Tc) Through Hole TO-262
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
説明:	MOSFET P-CH 55V 42A TO-262
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	42A (Tc)
Email:	[email protected]

部品型番	メーカー	説明	ビュー
IRF4905SPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK	オンラインお問い合わせ
IRF4905STRR	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 74A D2PAK	オンラインお問い合わせ
IRF4905STRRPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK	オンラインお問い合わせ
IRF4905STRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 42A D2PAK	オンラインお問い合わせ
SIB412DK-T1-GE3	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 20V 9A SC75-6	オンラインお問い合わせ
IRF4905PBF	Infineon Technologies	MOSFET P-CH 55V 74A TO-220AB	オンラインお問い合わせ
TK50P03M1(T6RSS-Q)	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N-CH 30V 50A DP TO252-3	オンラインお問い合わせ
IPP65R065C7XKSA1	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 650V TO-220-3	オンラインお問い合わせ
APTC60DAM18CTG	Microsemi Corporation	MOSFET N-CH 600V 143A SP4	オンラインお問い合わせ
IRF2807STRLPBF	Infineon Technologies	MOSFET N-CH 75V 82A D2PAK	オンラインお問い合わせ