IRF5210PBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRF5210PBF

IRF5210PBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	TO-220AB
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	60 mOhm @ 24A, 10V
電力消費（最大）:	200W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-220-3
他の名前:	*IRF5210PBF SP001559642
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	14 Weeks
製造元の部品番号:	IRF5210PBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	2700pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	180nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 100V 40A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220AB
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	MOSFET P-CH 100V 40A TO-220AB
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	40A (Tc)
Email:	[email protected]