IRF6603TR1
IRF6603TR1
部品型番:
IRF6603TR1
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
19622 Pieces
データシート:
IRF6603TR1.pdf

簡潔な

BYCHIPSは、 IRF6603TR1、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IRF6603TR1をメールでお送りします。
購入 IRF6603TR1とBYCHPS
保証付きで購入する

規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.5V @ 250µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:DIRECTFET™ MT
シリーズ:HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.4 mOhm @ 25A, 10V
電力消費(最大):3.6W (Ta), 42W (Tc)
パッケージング:Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:DirectFET™ Isometric MT
他の名前:SP001531594
運転温度:-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):3 (168 Hours)
製造元の部品番号:IRF6603TR1
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:6590pF @ 15V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:72nC @ 4.5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 30V 27A (Ta), 92A (Tc) 3.6W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
ソース電圧(VDSS)にドレイン:30V
説明:MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):27A (Ta), 92A (Tc)
Email:[email protected]

クイック見積もり

部品型番
数量
会社
Eメール
電話番号
備考