IRF6706S2TR1PBF
IRF6706S2TR1PBF
部品型番:
IRF6706S2TR1PBF
メーカー:
International Rectifier (Infineon Technologies)
説明:
MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
フリーステータス/ RoHS状態:
鉛フリー/ RoHS準拠
在庫数量:
18104 Pieces
データシート:
IRF6706S2TR1PBF.pdf

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規格

同上@ VGS(TH)(最大):2.35V @ 25µA
技術:MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:DIRECTFET S1
シリーズ:HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、(最大):3.8 mOhm @ 17A, 10V
電力消費(最大):1.8W (Ta), 26W (Tc)
パッケージング:Cut Tape (CT)
パッケージ/ケース:DirectFET™ Isometric S1
他の名前:IRF6706S2TR1PBFCT
運転温度:-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:Surface Mount
水分感受性レベル(MSL):1 (Unlimited)
製造元の部品番号:IRF6706S2TR1PBF
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds:1810pF @ 13V
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs:20nC @ 4.5V
FETタイプ:N-Channel
FET特長:-
拡張された説明:N-Channel 25V 17A (Ta), 63A (Tc) 1.8W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount DIRECTFET S1
ソース電圧(VDSS)にドレイン:25V
説明:MOSFET N-CH 25V 17A DIRECTFET-S1
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id):17A (Ta), 63A (Tc)
Email:[email protected]

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