IRF7603TRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRF7603TRPBF

IRF7603TRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	1V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	Micro8™
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	35 mOhm @ 3.7A, 10V
電力消費（最大）:	1.8W (Ta)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
他の名前:	IRF7603TRPBF-ND IRF7603TRPBFTR SP001566334
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRF7603TRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	520pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	27nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 5.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	5.6A (Ta)
Email:	[email protected]