IRF7907TRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-アレイ IRF7907TRPBF

IRF7907TRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.35V @ 25µA
サプライヤデバイスパッケージ:	8-SO
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	16.4 mOhm @ 9.1A, 10V
電力 - 最大:	2W
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
他の名前:	IRF7907TRPBF-ND IRF7907TRPBFTR SP001566462
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	16 Weeks
製造元の部品番号:	IRF7907TRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	850pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	10nC @ 4.5V
FETタイプ:	2 N-Channel (Dual)
FET特長:	Logic Level Gate
拡張された説明:	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	9.1A, 11A
Email:	[email protected]