IRF8301MTRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRF8301MTRPBF

IRF8301MTRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.35V @ 150µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	DIRECTFET™ MT
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.5 mOhm @ 32A, 10V
電力消費（最大）:	2.8W (Ta), 89W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	DirectFET™ Isometric MT
他の名前:	IRF8301MTRPBF-ND IRF8301MTRPBFTR SP001555752
運転温度:	-40°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	IRF8301MTRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	6140pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	77nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 27A (Ta), 34A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MT
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET MT
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	27A (Ta), 34A (Tc)
Email:	[email protected]