IRF9Z34S - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRF9Z34S

IRF9Z34S

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	140 mOhm @ 11A, 10V
電力消費（最大）:	3.7W (Ta), 88W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
他の名前:	*IRF9Z34S
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRF9Z34S
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1100pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	34nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 60V 18A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D2PAK
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	18A (Tc)
Email:	[email protected]