購入 IRFH7110TR2PBFとBYCHPS
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同上@ VGS(TH)(最大): | 4V @ 100µA |
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技術: | MOSFET (Metal Oxide) |
サプライヤデバイスパッケージ: | 8-PQFN (5x6) |
シリーズ: | HEXFET® |
同上、Vgsは@ RDSで、(最大): | 13.5 mOhm @ 35A, 10V |
電力消費(最大): | 3.6W (Ta), 104W (Tc) |
パッケージング: | Original-Reel® |
パッケージ/ケース: | 8-TQFN Exposed Pad |
他の名前: | IRFH7110TR2PBFDKR |
運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
装着タイプ: | Surface Mount |
水分感受性レベル(MSL): | 1 (Unlimited) |
製造元の部品番号: | IRFH7110TR2PBF |
入力容量(Ciss)(Max)@ Vds: | 3240pF @ 25V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs: | 87nC @ 10V |
FETタイプ: | N-Channel |
FET特長: | - |
拡張された説明: | N-Channel 100V 11A (Ta), 58A (Tc) 3.6W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6) |
ソース電圧(VDSS)にドレイン: | 100V |
説明: | MOSFET N CH 100V 11A PQFN5X6 |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id): | 11A (Ta), 58A (Tc) |
Email: | [email protected] |