IRFL9110TRPBF - Vishay Siliconix - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFL9110TRPBF

IRFL9110TRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	SOT-223
シリーズ:	-
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.2 Ohm @ 660mA, 10V
電力消費（最大）:	2W (Ta), 3.1W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-261-4, TO-261AA
他の名前:	IRFL9110PBFTR
運転温度:	-55°C ~ 150°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	13 Weeks
製造元の部品番号:	IRFL9110TRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	200pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	8.7nC @ 10V
FETタイプ:	P-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	P-Channel 100V 1.1A (Tc) 2W (Ta), 3.1W (Tc) Surface Mount SOT-223
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	100V
説明:	MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	1.1A (Tc)
Email:	[email protected]