IRFU4105Z - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRFU4105Z

IRFU4105Z

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同上@ VGS（TH）（最大）:	4V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	IPAK (TO-251)
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	24.5 mOhm @ 18A, 10V
電力消費（最大）:	48W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
他の名前:	*IRFU4105Z
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRFU4105Z
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	740pF @ 25V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	27nC @ 10V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 55V 30A (Tc) 48W (Tc) Through Hole IPAK (TO-251)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	55V
説明:	MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	30A (Tc)
Email:	[email protected]