IRLR8721TRPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRLR8721TRPBF

IRLR8721TRPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.35V @ 25µA
Vgs（最大）:	±20V
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D-Pak
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	8.4 mOhm @ 25A, 10V
電力消費（最大）:	65W (Tc)
パッケージング:	Tape & Reel (TR)
パッケージ/ケース:	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
他の名前:	IRLR8721TRPBFTR SP001552856
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
メーカーの標準リードタイム:	12 Weeks
製造元の部品番号:	IRLR8721TRPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	1030pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	13nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 65A (Tc) 65W (Tc) Surface Mount D-Pak
駆動電圧（最大Rdsオン、最小Rdsオン）:	4.5V, 10V
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 65A DPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	65A (Tc)
Email:	[email protected]