IRLS3036-7PPBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRLS3036-7PPBF

IRLS3036-7PPBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.5V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	D2PAK (7-Lead)
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	1.9 mOhm @ 180A, 10V
電力消費（最大）:	380W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB
他の名前:	SP001577170
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Surface Mount
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRLS3036-7PPBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	11270pF @ 50V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	160nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 60V 240A (Tc) 380W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	60V
説明:	MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	240A (Tc)
Email:	[email protected]