IRLU7833-701PBF - Infineon Technologies - トランジスタ-fet、mosfet-シングル IRLU7833-701PBF

IRLU7833-701PBF

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同上@ VGS（TH）（最大）:	2.3V @ 250µA
技術:	MOSFET (Metal Oxide)
サプライヤデバイスパッケージ:	I-Pak
シリーズ:	HEXFET®
同上、Vgsは@ RDSで、（最大）:	4.5 mOhm @ 15A, 10V
電力消費（最大）:	140W (Tc)
パッケージング:	Tube
パッケージ/ケース:	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
運転温度:	-55°C ~ 175°C (TJ)
装着タイプ:	Through Hole
水分感受性レベル（MSL）:	1 (Unlimited)
製造元の部品番号:	IRLU7833-701PBF
入力容量（Ciss）（Max）@ Vds:	4010pF @ 15V
ゲートチャージ（Qg）（最大）@ Vgs:	50nC @ 4.5V
FETタイプ:	N-Channel
FET特長:	-
拡張された説明:	N-Channel 30V 140A (Tc) 140W (Tc) Through Hole I-Pak
ソース電圧（VDSS）にドレイン:	30V
説明:	MOSFET N-CH 30V 140A IPAK
電流 - 25℃での連続ドレイン（Id）:	140A (Tc)
Email:	[email protected]