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IXDI602SI
- 部品型番:
- IXDI602SI
- 説明:
- 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT
- フリーステータス/ RoHS状態:
- 鉛フリー/ RoHS準拠
- 在庫数量:
- 15495 Pieces
- データシート:
- IXDI602SI.pdf
簡潔な
BYCHIPSは、 IXDI602SI、我々はすぐに出荷するための株式を持っており、また、長い時間の供給が可能です。あなたの購入計画をお送りください IXDI602SIをメールでお送りします。
規格
| 電源電圧 - : | 4.5 V ~ 35 V |
|---|---|
| サプライヤデバイスパッケージ: | 8-SOIC-EP |
| シリーズ: | - |
| 立上り/立下り時間（Typ）: | 7.5ns, 6.5ns |
| パッケージング: | Tube |
| パッケージ/ケース: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| 運転温度: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 入力周波数: | 2 |
| 装着タイプ: | Surface Mount |
| 水分感受性レベル（MSL）: | 1 (Unlimited) |
| メーカーの標準リードタイム: | 7 Weeks |
| 製造元の部品番号: | IXDI602SI |
| ロジック電圧 - VIL、VIH: | 0.8V, 3V |
| 入力タイプ: | Inverting |
| ゲートタイプ: | IGBT, N-Channel, P-Channel MOSFET |
| 拡張された説明: | Low-Side Gate Driver IC Inverting 8-SOIC-EP |
| 駆動構成: | Low-Side |
| 説明: | 2A 8 SOIC EXP METAL DUAL INVERT |
| 電流 - ピーク出力（ソース、シンク）: | 2A, 2A |
| ベース・エミッタ間飽和電圧（最大）: | Independent |
| Email: | [email protected] |
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